10nm詳解

的确，自从美国对华生效以来，“缓冲期”越来越近的结尾还没有找到，华为的结尾，这绝对是对华最危险的时候。 10nm 10nm 10nm 3D堆叠技术通过在存储层上叠加逻辑层，将芯片的结构由平面型升级成立体型，大大缩短互连线长度，使得数据传输更快，所受干扰更小。

10纳米制程芯片面积远远小于14纳米制程芯片，这意味着厂商有更多的空间来为智能手机设计更大的电池或更纤薄的机身。 工艺的改善加上更先进的芯片设计，能够显著延长手机续航时间。 量产10nm DRAM芯片 三星平泽第二条存储生产线启动 近日，据外媒报道，三星电子平泽工厂的第二生产线正式开工，首发量产的产品是采用极紫外光刻技术制造的16Gb 10nm LPDDR5移动DRAM芯片。 我们还不能制造10nm芯片，台积电的最新研究，却使1nm成为可能 众所周知，中芯国际去年量产了14nm芯片，这对中芯来说绝对是个好消息。

只要我们能批量生产14nm芯片，就意味着我们可以生产60%以上的芯片。 除了FinFIT技术外，三星、英特尔等芯片厂商近些年纷纷投入到FD-SOI（全耗尽绝缘体硅）工艺、硅光子技术、3D堆叠技术等的研究中，以求突破FinFET的制造极限，拥有更多的主动权。 英特尔发布10nm Atom处理器P5900 IT之家2月24日消息 IT之家从AnandTech了解到，英特尔发布了新款Atom处理器 P5900，该芯片专为无线接入网络、无线基站和类似设备设计，搭载了英特尔的Tremont Atom核心。 Intel终于把10nm芯片带入游戏本 在下个月CES期间，两大CPU大厂Intel、AMD都将发布新一代处理器，intel方面将会引入10nm工艺的Tiger Lake-H 11代酷睿系列。 Intel 10nm已经在轻薄本上经历了两代，现在终于准备向上一步来到高性能的游戏本。 2016年12月7日，采用三星10nm工艺制造的高通骁龙835跑分遭到曝光。

III-V族化合物、石墨烯等新材料为突破硅基芯片的瓶颈提供了可能，成为众多芯片企业研究的焦点，尤其是石墨烯。 与上代14纳米工艺相比，10纳米技术可以减少30%的芯片尺寸，同时提升性能27%以及降低40%的功耗。 搭载三星10nm新U 三星Galaxy A50s跑分曝光 一款全新的三星中端机型跑分出现在GeekBench网站上，该机型号为SM-A507FN，疑似为全新的三星Galaxy A50s。 从跑分来看，这款SM-A507FN搭载了三星Exynos 9610处理器，单核跑分为1685分，多核跑分为5446分，跑分比骁龙710稍低。 中芯国际正式官宣，即将突破10nm芯片门槛 这几年来，国内科技企业被欺负的太憋屈，刚想出一个办法，就被一个禁令打断，刚找到新的合作伙伴，合作伙伴就被迫断供，简直欺人太甚。

• 量产10nm DRAM芯片 三星平泽第二条存储生产线启动 近日，据外媒报道，三星电子平泽工厂的第二生产线正式开工，首发量产的产品是采用极紫外光刻技术制造的16Gb LPDDR5移动DRAM芯片。
• 麻省理工学院的研究发现，石墨烯可使芯片的运行速率提升百万倍。
• 除了FinFIT技术外，三星、英特尔等芯片厂商近些年纷纷投入到FD-SOI（全耗尽绝缘体硅）工艺、硅光子技术、3D堆叠技术等的研究中，以求突破FinFET的制造极限，拥有更多的主动权。
• 10纳米即CPU的“制作工艺”，是指在生产处理器的过程中，集成电路的精细度，也就是说精度越高，生产工艺越先进。

作为Qualcomm 10nm Centriq产品家族的首款产品，Qualcomm Centriq 2400最高可配置48个内核，并采用最先进的10纳米FinFET制程技术制造而成。 Qualcomm Centriq 2400系列主打QDT的ARMv8可兼容定制内核——Qualcomm Falkor CPU，该内核经高度优化，可同时实现高性能与低功耗，专门针对数据中心最常见的工作负载而设计。 高通于12月初宣布全球第一颗10奈米服务器芯片开始送样。 Qualcomm Centriq 2400系列处理器，为Qualcomm Centriq系列的首款产品，采用最先进的10nm鳍式制造技术，最高可配置48颗核心。 高通还演示了在Qualcomm Centriq 2400处理器上运行基于Linux和Java的Apache Spark和Hadoop。

就在一天后，即2016年12月8日，采用台积电10nm工艺制造的华为麒麟970也遭到媒体曝光。 此前，英特尔宣称，将于2017年发布采用自家10nm工艺制造的移动芯片，格罗方德也声称自研10nm工艺。 2015年4月，英特尔宣布，在达到7nm工艺之后将不再使用硅材料。 10nm 数显扭力计可以找北京百达泰科机电设备有限公司,北京百达奏科机电设备有限公司(Beijing BetterTech Co.Ltd)，成立于2007年7月份，是一家历经十年持续稳步发展的，集贸易代 理，技术集成，方案设计为一体的企业。 主营力学检测，装配工具，流体测控等仪器仪表及…

相比硅基芯片，石墨烯芯片拥有极高的载流子速度、优异的等比缩小特性等优势。 IBM表示，石墨烯中的电子迁移速度是硅材料的10倍，石墨烯芯片的主频在理论上可达300GHz，而散热量和功耗却远低于硅基芯片。 麻省理工学院的研究发现，石墨烯可使芯片的运行速率提升百万倍。

2016年11月，美国高通公司宣布开发骁龙835处理器，最大特色是采用10纳米制程工艺打造，同时支持Quick Charge 4.0快充技术。 高通方面表示，由于采用全新的10纳米制程工艺，骁龙835处理器将具备更低的功耗以及更高性能，从而提升移动设备的用户体验。 借助10纳米工艺制程，高通骁龙835处理器具备更小的SoC尺寸，让OEM厂商可以进一步优化移动设备的机身内部结构，比如增加电池或是实现更轻薄的设计等等。 骁龙835已经投入生产，预计搭载骁龙835处理器的设备将会在2017年上半年陆续出货。 2016年12月8日，美国高通公司通过其子公司Qualcomm Datacenter Technologies宣布，提供全球首款10纳米服务器处理器商用样片，并进行了现场演示。

Qualcomm Centriq 2400处理器系列已经向主要的潜在客户提供样品，并预计在2017年下半年实现商用。 三星宣布10nm EUV DRAM芯片现已完成客户评估，即将大规模量产 三星于近日宣布，已经成功将EUV（极紫外光刻）工艺率先用到了DRAM内存颗粒的生产中。 目前已经出货的100万个使用该技术的10nm DDR4 DRAM已经完成了全球客户的评估，计划在今年下半年开始在韩国平泽市建立第二条半导体生产线，专门生产10nm EUV DRAM芯片。 本次宣布将引领行业进入下一代制程工艺，为数据中心提供高性能的基于ARM架构的服务器处理器。 云服务客户正在寻求新的服务器解决方案，在满足性能、效率及功耗的同时优化总体拥有成本；而QDT在满足这一需求方面具有独特优势。 QDT的目标是利用ARM生态系统提供创新的服务器SoC，为客户在高端服务器处理器领域提供新选择，以此重塑数据中心计算的未来格局。

Intel 10nm芯片产能提升 5nm也在路上 有消息称，明年Intel主力就会转向10nm，产能也会历史性超过14nm工艺。 根据Intel技术开发高级副总、总经理Ann B. Kelleher的说法，14nm工艺具备最好的性能和产能，Intel四座晶圆厂——分别位于爱尔兰、以色列、亚利桑那及俄勒冈州的工厂都已经满载生产。 今年9月，英特尔发布了基于10nm SuperFin工艺打造的第11代移动酷睿处理器，但首批上市的仅限U系列（Tiger Lake-U）和Y系列（Tiger Lake-Y），即专供轻薄本们使用的低功耗版。 10纳米即CPU的“制作工艺”，是指在生产处理器的过程中，集成电路的精细度，也就是说精度越高，生产工艺越先进。 在同样的体积下可以塞进更多电子元件，处理器的性能更强，功耗更低。

建设10年的Fab 42工厂全面投产：Intel 10nm芯片产能提升50% Intel于今日宣布，从2011年开始建设，历时10年、总投资70亿美元的Fab 42 工厂已全面开始运营，将大大缓解目前10nm芯片的产能危机。 制约石墨烯芯片的最大因素是石墨烯的成本问题，不过随着制作工艺已逐渐成熟，石墨烯的成本呈下降趋势，石墨烯芯片量产的日子也不会太远。 2011年底，宁波墨西科技建成年产300吨的石墨烯生产线，每克石墨烯销售价格只要1元。 好消息，国产10nm芯片将自产 在过去的两个月里，估计很多人会说出他们最担心的事情。