wat8大好處

目前主流的生产系统是8英寸和12英寸的工厂,12英寸晶圆较8英寸大了2.25倍,制程的控制难度也更大;然而工厂把大的晶圆使用在高阶的制程,对控制的要求反而更高。 由于工序相当繁复,从投片到产出可能包含近千个步骤,耗时一到三个月,必需使用制造流程(process flow)控制各阶段制程的质量。 晶圆上用于收集WAT数据的测试结构称为WAT测试结构(WAT testkey)。 划片槽的宽度可以从最小的60μm做到150μm,芯片代工厂依据芯片切割机器(Die Saw)的精度要求制定划片槽的宽度设计要求,力求做到最小宽度及最小面积。 关于芯片的制造工艺,大家都知道随着先进技术节点的发展,目前芯片的制造工序已经达到上千道工序。

这里让人想起一个事情,就是以前去新能源行业交流的时候,客户总是问我们,为什么你们拿出来展示的资料都是英文版的。 我们说我们做的几个行业分别是半导体和锂离子电池,很多半导体行业缩略语翻译成中文的话,不太好翻译,另外,就是我自己比较懒,也不太愿意去翻译和折腾。 这里我们接下来就不纠结于中文的翻译了,咱们还是以WAT直接来说吧。 內容包含食、衣、住、行、育、樂上的各種記錄及經驗分享。 wat 主要目的是模擬客戶的電路,及監控晶圓廠製程式穩定度,用以提升產品的良率。

wat: 半导体行业的局外人与局中人

WAT的目的是通过测试晶圆上特定测试结构的电性参数,检测每片晶圆产品的工艺情况,评估半导体制造过程的质量和稳定性,判断晶圆产品是否符合该工艺技术平台的电性规格要求。 wat WAT测试结构通常包含该工艺技术平台所有的有源器件、无源器件和特定的隔离结构。 无源器件包括方块电阻、通孔接触电阻、金属导线电阻和电容等。 隔离结构包括有源区(AA)之间的隔离,多晶硅之间的隔离和金属之间的隔离。 WAT参数是指有源器件、无源器件和隔离结构的电学特性参数。

不但要监控关键的电性和物性,使其在整个晶圆的范围内达到一定标准(SPEC);还得让每一片生产的晶圆都达到这一标准。 因此必须引入统计制程管制来完善质量监控。 WAT测试是非常重要的,因为这是晶圆产品出货前第一次经过一套完整的电学特性测试流程,通过WAT数据来检验晶圆产品是否符合该工艺技术平台的电性规格要求,以及工艺制造过程是否存在异常。

wat: Meaning of wat in English

下图即为从质量与可靠性管理的角度来绘制的芯片制造主要流程。 WAT测试类型,根据温德通编著《集成电路制造工艺与工程应用》一书文本类容绘制的思维导图上图主要是以CMOS工艺技术平台为例。 WAT是晶圆制造的一个重要站点,它是用来检测(也称检验)已经制造完成的晶圆上,各种器件的各方面电学性能(Electrical Performance)是否满足规格要求。 如果某些重要参数没有符合要求,晶圆将会被报废,不会进入下一阶段。

測試內容包括NMOS元件、PMOS元件、電阻、接觸電阻、內部連接的測試結構、電容、BJT、規則檢查、可靠度圖樣等。 在参考资料中,作者不仅对要测试的内容作了综述,同时还对影响相关测试的内容作了补充,比如影响MOS器件某一性能的影响因素都有什么,主要的工艺影响因素是什么,均作了相应的介绍。 以前做业务的时候,经常问同事,集成电路的工程师到底关注晶圆或者器件的什么性质,哪些性质是通过实验设备测得的,哪些可以是通过模拟仿真获得的。 同事就说去看WAT或者集成电路参数手册。

wat: WAT是什麼意思?WAT是什麼的縮寫?

对它们来说,WAT测试项目和良率测试项目是相同的,所谓的WAT只是预先抽样进行良率测试而已。 有的时候甚至会选择不做WAT,直接进行良率测试。 在切割道上不放置WAT测试结构的另外一个好处,是可以降低晶圆封装时的切割难度。 对于采用90nm 以下先进工艺制造的产品,切割道上测试结构的设计会影响晶圆切割质量的现象,已经成为众所周知的事情。 在芯片与封装交互作用的研究中,这也成为了一个重要的课题。

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液晶显示器驱动芯片(Liquid Crystal Display Driver,LCD Driver)是另一类不会在切割道上放置测试结构的产品。 因其形状又长又窄,而又不能预先减薄晶圆,所以在整体考虑质量控制的策略之后,通常会选择不在切割道上放置测试结构。 其实,很多的案例也表明,复杂的切割道测试结构设计,不仅会给封装切割带来困难,同时也会给晶圆的制造带来很多额外的风险。

wat: Translation of wat – English–Mandarin Chinese dictionary

后来,一听还要动脑子去找相关资料,就不愿意去干了,不知道如何以及从何处搜索资料。 正好最近在研究集成电路制造工艺相关的资料,就看到了让人心中一动的资料。 主干线以上部分,是质量与良率(Yield)管理中需要用到的主要系统和方法;主干线以下部分,则是可靠性管理工作中所要用到的主要手法及管理要点。 WAT的英文全称是Wafer Acceptance Test,WAT。 中文有人翻译为晶圆接受测试,有人翻译为晶圆可接受测试等等翻译。

比如,因为负载效应(Loading Effect),切割道上大块的铜金属结构会导致附近晶粒边缘的铜线磨不均匀,而容易出现短路(Short)或者断路(Open)。 所以在设计WAT测试结构的时候,要遵循一定的规则,同时也需要非常细心、谨慎。 上图中的主干线就是将芯片的制造分割为这些主要的过程,并且每个过程都有输出的参数,用于监控。

wat: ​Become a WATer and enjoy more offers!

主干线上下所列举的,是在每一阶段,质量与可靠性管理所需要用到的重要系统和方法。 实际上,监控并不是越多越好、覆盖越广越好,一味地追求数据的完整性。 因为任何生产都是需要考虑成本的,而监控的数据越多,系统越庞杂,所需要投入的初始成本和运营成本也将越高。 质量与可靠性需要的是更合适、更先进的技术方法,能够帮助企业提升产品质量与可靠性的同时,达到提高成本利润率的目的。 WAT是英文Wafer Acceptance Test的缩写,意思是晶圆接受测试,业界也称WAT为工艺控制监测(Process wat Control Monitor,PCM)。 WAT是在晶圆产品流片结束之后和品质检验之前,测量特定测试结构的电性参数。

WAT测试在大多数情况下,都是利用晶圆切割道(Scribe Lane)上专门设计的测试结构(Test Pattern或Test wat Structure)完成的。 通过这些测试结构的组合和测试结果的分析,我们基本上可以监控到晶圆制造的每一道工序。 但是某些特殊的产品,如功率器件(Power IC),为了充分利用晶圆的面积,增加每片晶圆上晶粒的数目,会尽量压缩切割道的面积,从而导致切割道太小,无法放置测试结构。 当然,这类产品的制造工艺和电路设计一般都比较简单,所以不需要浪费面积设计测试结构,而是可以通过直接测试晶粒来完成WAT。

wat: Translations of wat

中国大尺寸硅片布局盘点芯片在出厂前要进行各项检测,以确认整个生产流程能达到上述要求。 出厂检测包含器件电性参数的量测(Wafer Acceptance Test,WAT),WAT量测包含大多数使用器件的参数,如电阻器的阻值、MOS的栅极氧化层电容值、MOSFET的特性等。 这些电性参数可以反应制程工艺是否正常,而掌握工艺对电性的影响更是制程研发的关键。 摩尔定律集成电路的设计十分复杂,动辄使用数百万到数十亿个逻辑门数量(gate count),每一个逻辑门和其他器件的电性参数必须同时达到标准,否则芯片可能无法正常运作。 一片晶圆通常有数十到数万个芯片,保持制程的均一性相当重要。

  • WAT是在晶圆产品流片结束之后和品质检验之前,测量特定测试结构的电性参数。
  • 比如,因为负载效应(Loading Effect),切割道上大块的铜金属结构会导致附近晶粒边缘的铜线磨不均匀,而容易出现短路(Short)或者断路(Open)。
  • 測試內容包括NMOS元件、PMOS元件、電阻、接觸電阻、內部連接的測試結構、電容、BJT、規則檢查、可靠度圖樣等。
  • 我们说我们做的几个行业分别是半导体和锂离子电池,很多半导体行业缩略语翻译成中文的话,不太好翻译,另外,就是我自己比较懒,也不太愿意去翻译和折腾。
  • 主要目的是模擬客戶的電路,及監控晶圓廠製程式穩定度,用以提升產品的良率。

而集成电路本身又是技术密集型和资金密集型的行业。 所以,对于集成电路芯片制造的良率以及可靠性等内容,是集成电路制造厂以及相关产业链角色极为关注的内容。 插播一下,关于芯片良率的内容,大家可以参考我之前撰写的文章,虽然比较简单,但是可以给大家一个粗略的认知。 wat 参考简维廷等人编著的《半导体制造中的质量可靠性与创新》一书,咱们从可靠性以及良率的角度来看看WAT到底处于芯片制造流程中的哪一个环节。

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