sacvd詳細懶人包
接著前驅物經由傳統的CVD技術沉積在基底上。 此技術適合使用液體或固體的前驅物。 公司的 SACVD 设备可以沉积 BPSG、SAF 材料薄膜，适配 12 英寸 40/28nm 以及 8 英寸 90nm 以上的逻辑芯片制造工艺需求。 遠距電漿增強化學氣相沉積（Remote plasma-enhanced CVD，RPECVD）：和PECVD技術很相近的技術。 但晶圓不直接放在電漿放電的區域，反而放在距離電漿遠一點的地方。 晶圓遠離電漿區域可以讓製程溫度降到室溫。
低壓化學氣相沉積（Low-pressure CVD，LPCVD）：在低壓環境下的CVD製程。 降低壓力可以減少不必要的氣相反應，以增加晶圓上薄膜的一致性。 sacvd 大部份現今的CVD製程都是使用LPCVD或UHVCVD。
sacvd: 化學氣相沉積
依版權協議，譯文需在編輯摘要註明來源，或於討論頁頂部標記標籤。 一甲基胺對二甲苯比胺基對二甲苯有更大的反應性，因為它帶著更強的鹼基。 當相鄰的苯環胺組，胺基，是在穩定的共振，因此變得更加酸性，相對鹼性較弱。
拓荆科技（688072）研究报告：薄膜沉积设备龙头公司扬帆起航。 海外技术专家及高端技术人才牵头，专注于薄膜沉积设备的国产化。 截止2021年9月30日，公司科研人员189人，占员工总数的44.06%，其中海外技术专家及高端技术人才十余人。
sacvd: 多晶矽
公司的PECVD设备、ALD设备… ，簡稱CVD）是一種用來產生純度高、效能好的固態材料的化學技術。 典型的CVD製程是將晶圓（基底）暴露在一種或多種不同的前趨物下，在基底表面發生化學反應或/及化學分解來產生欲沉積的薄膜。 反應過程中通常也會伴隨地產生不同的副產品，但大多會隨著氣流被帶走，而不會留在反應腔（reaction chamber）中。 sacvd SiH4 → Si + 2 H2這種反應通常使用低壓化學氣相沉積系統（LPCVD），使用單純的矽烷或用70-80％的氮矽烷作為原料。
- 但晶圓不直接放在電漿放電的區域，反而放在距離電漿遠一點的地方。
- 以氣相的特性分類氣溶膠輔助氣相沉積（Aerosol assisted CVD，AACVD）：使用液體/氣體的氣溶膠的前驅物成長在基底上，成長速非常快。
- 電漿增強化學氣相沉積法（Plasma-Enhanced CVD，PECVD）：利用電漿增加前驅物的反應速率。
- 快速熱化學氣相沉積（Rapid thermal CVD, RTCVD）：使用加熱燈或其他方法快速加熱晶圓。
- 若您熟悉來源語言和主題，請協助參考外語維基百科擴充條目。
- 直接液體注入化學氣相沉積（Direct liquid injection CVD，DLICVD）：使用液體（液體或固體溶解在合適的溶液中）形式的前驅物。
- 原子層化學氣相氣相沉積（Atomic layer CVD，ALCVD）：連續沉積不同材料的晶體薄膜層。
然而[胺基對二甲苯]是更容易合成，因此它的成本較低。
sacvd: 通常用於高分子聚合的沉積材料
以氣相的特性分類氣溶膠輔助氣相沉積（Aerosol assisted CVD，AACVD）：使用液體/氣體的氣溶膠的前驅物成長在基底上，成長速非常快。 原子層化學氣相氣相沉積（Atomic layer CVD，ALCVD）：連續沉積不同材料的晶體薄膜層。 一些CVD技術被廣泛地使用及在文獻中被提起。 這些技術有不同的起始化學反應機制（如活化機制）及不同的製程條件。 若您熟悉來源語言和主題，請協助參考外語維基百科擴充條目。 請勿直接提交機械翻譯，也不要翻譯不可靠、低品質內容。
快速熱化學氣相沉積（Rapid thermal CVD, RTCVD）：使用加熱燈或其他方法快速加熱晶圓。 可以減少不必要的氣相反應，以免產生不必要的粒子。 電漿增強化學氣相沉積法（Plasma-Enhanced CVD，PECVD）：利用電漿增加前驅物的反應速率。 PECVD技術允許在低溫的環境下成長，這是半導體製造中廣泛使用PECVD的最重要原因。 直接液體注入化學氣相沉積（Direct liquid injection CVD，DLICVD）：使用液體（液體或固體溶解在合適的溶液中）形式的前驅物。 sacvd 液相溶液被注入到蒸發腔里變成注入物。
sacvd: 化學氣相沉積的種類
在溫度在600°C至650°C之間，壓力為25~150帕斯卡的條件下，沉積速度在每分鐘10至20奈米之間。 氫氣會降低增長速度，所以溫度提高到850甚至1050℃進行補償。 sacvd 即把磷，砷或者乙硼烷加入CVD反應腔。 乙硼烷的會令增長率增加，但砷化氫和磷化氫會令沉積速度減小。
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