動態隨機存取懶人包

同樣地，地址資訊ROW_addr2包括兩部分，其中當晶片選擇信號CS處於高邏輯位準(即“H”)時，提供地址資訊ROW_addr2的第一部分至DRAM，以及當晶片選擇信號CS處於低邏輯位準(“L”)時，提供地址資訊ROW_addr2的第二部分至DRAM。 在本實施例中，地址資訊ROW_addr2的第一部分包括指標IND[1：0]、記憶庫地址BA[2：0]、觸發位元TRI和列地址ROW，以及地址資訊ROW_addr2的第二部分包括列地址ROW[6：0]。 應該指出的是，地址資訊ROW_addr2的指標IND[1：0]不同於地址資訊ROW_addr1的。 此外，地址資訊ROW_addr2的記憶庫地址BA[2：0]等於地址資訊ROW_addr1的記憶庫地址BA[2：0]。 此外，當地址資訊ROW_add1和地址資訊ROW_addr2包括觸發位元TRI時，在地址資訊ROW_add1和ROW_addr2之間只存在一個觸發指示器。 在一個實施例中，地址資訊ROW_add1和地址資訊ROW_addr2不包括觸發位元TRI，以及DRAM依據接收到的全部的地址資訊來獲得對應於激活命令ACT的列地址。

如圖6A所示，第七氧化層51中對應電容的部分被移除，同時部分的第五氮化層242以及部分的第三氧化層22也一起被移除。 接著，如圖6B所示，使用該各向異性蝕刻製程以形成第二凹槽61以作為該電容的一部分。 圖13B是根據圖12B的結構，說明利用蝕刻步驟以留下氮化間隔層圍繞該電容區域的凹槽的四個側壁與底部表面後的橫切面示意圖。 動態隨機存取記憶組件的英文翻譯，動態隨機存取記憶組件英文怎麽說，怎麽用英語翻譯動態隨機存取記憶組件，動態隨機存取記憶組件的英文單字，动态随机存取记忆组件的英文，动态随机存取记忆组件 meaning in English，動態隨機存取記憶組件怎麼讀，英文發音，英文拼音，例句，用法和解釋由查查在綫詞典提供，版權所有違者必究。 SRAM：靜態隨機存取存儲器採取多重晶體管設計，通常每個存儲單元使用4-6只晶體管，但沒有電容器。 正如其他精細的集成電路，隨機存取存儲器對環境的靜電荷非常敏感。

動態隨機存取: TW201724470A – 提供動態隨機存取記憶單元之電容的方法、裝置及系統

接下來，依據來自選擇器770的資料，行地址解碼器780解碼行地址COL[k：0]以獲取資料DAT[x：0]，並通過資料總線將資料DAT[x：0]提供至控制器。 相反，如果存取命令為寫入命令，行地址解碼器780解碼行地址COL[k：0]，以及行地址解碼器780依據解碼的行地址將資料DAT[x：0]從控制器提供至選擇器 770。 依據記憶庫地址BANK_access，選擇器770將來自行地址解碼器780的資料儲存到儲存單元760。 接下來，依據記憶庫地址BANK_addr，選擇器750從儲存單元760讀取對應於行地址COL[k：0]的資料，並將資料提供至讀出放大器740。

如何同步動態隨機存取造句，用同步动态随机存取造句，同步动态随机存取 in a sentence和同步動態隨機存取的例句由查查漢語詞典提供，版權所有違者必究。 但是，它們也需要佔用記憶體，因此您可以考慮禁用或刪除不需要的擴充套件程式以釋放RAM記憶體。 SRAM由存储矩阵、地址译码器和读/写控制电路组成，容量的扩展有两个方面：位数的扩展用芯片的并联，字数的扩展可用外加译码器控制芯片的片选输入端。 SRAM中的每一bit储存在由4个场效应管（M1, 動態隨機存取 M2, M3, M4）构成两个交叉耦合的反相器中。

動態隨機存取: 隨機存取

例如，控制器在相位P1中提供與子命令ACT-1相關的地址資訊ROW_addr1。 此外，該控制器在相位P2中提供與子命令ACT-2相關的地址資訊ROW_addr2，等等。 接下來，在步驟S230中，控制器通過命令總線提供激活命令ACT中的特定子命令ACT-n至DRAM。 同時，控制器通過地址總線提供地址資訊ROW_addrn至DRAM，其中地址資訊ROW_addrn包括觸發指示器和對應於特定子命令的列地址ROW[y：0]中的單獨的部分。 例如，控制器在相位Pn中提供與子命令ACT-n相關的地址資訊ROW_addrn。

在實施例中，電介質材料層562和金屬層564然後可被連續地沉積在填充金屬560上，填充金屬560、電介質層562及金屬層564可構成m-i-m電容器，其被耦合來和摻雜區域510b交換電荷。 在實施例中，此種電荷可經由導電路徑而被進一步交換至或自電容器，該導電路徑經由背面504b而自電晶體延伸出-例如，和經由形成於金屬層514中或金屬層514之上的導電路徑而交換此種電荷相反。 由於薄化以形成基板506b之厚度t2可以把後續的蝕刻及/或其他處理考慮在內-在背面504b上或穿過背面504b-以形成延伸至結構508之凹入結構於基板506b中，該凹入結構用以容納記憶單元的電容器。 在實施 例中，電介質材料層562和金屬層564然後可被連續地沉積在填充金屬560上，填充金屬560、電介質層562及金屬層564可構成m-i-m電容器，其被耦合來和摻雜區域510b交換電荷。

動態隨機存取: 說明

其他數據結構，如合併排序，則憑隨機存取作出有效率的輸入、刪除抑或搜尋功能。 在隨機存取存儲器中，除了動態存儲器（ dram ）外，靜態存儲器（ sram ）由於其自身的低功耗和高速的優勢而成為半導體存儲器中不可或缺的一類重要產品。 在以下范圍內我們提供產品和服務：行李艙、勺、取樣勺、挖斗、鏟斗、鑄勺和圓的、卵形線以及蓮花或工作存儲器、隨機存取存儲器。 接著，如圖5A所示，沉積一第七氧化層51，並回蝕刻以確保形成一平坦的參考面52(對應矽表面12)。

值得注意的是，子命令ACT-1~ACT-n通過空閑相位Ps而彼此分開。 因此，對於激活命令ACT，控制器和DRAM之間的總線被占用不超過2個連續的時鐘周期。 動態隨機存取 在一些實施例中，命令總線(如第1圖中的140)在空閑相位Ps中是空閑的，即不傳送命令信號CMD，如DRAM執行不操作指令或取消選定指令。

動態隨機存取: 隨機存取 的英文怎麼說

導電區域462可具有例如導電區域412的特徵，電介質464可延伸至少部分於面454上。 在實施例中，金屬468構成一或多個波瓣結構466a,466b，其各自延伸經過面454朝向面452。 電介質464可與此等一或多個波瓣結構466a,466b一致，並且也延伸至少部分經過面454。 該一或多個波瓣結構466a,466b可藉由增加電介質464與導電區域462和金屬468的毗連導電結構之間的表面積而有助於增加記憶單元的電容。

電介質314可包含氧化物、氧氮化物、及/或改造自習知記憶體裝置設計之各式各樣其他材料的任一者。 藉由舉例說明而非限制性地，電介質314之材料可具有3.8以上的介電常數，在有些實施例中具有7.3以上的介電常數，導電區域312可包括相對高度摻雜的多晶矽及/或金屬-諸如銅、鉭、鋁、透磁合金鎳-鐵(Ni-Fe)合金、鉑等等-在有些實施例中。 藉由舉例說明而非限制性地，電介質314之材料可具有3.8以上的介電常數，在有些實施例中具有7.3以上的介電常數，導電區域312可包括相對高度摻雜的多晶矽及/或金屬-諸如銅、鉭 動態隨機存取 、鋁、透磁合金鎳-鐵(Ni-Fe)合金、鉑等等-在有些實施例中。 在本文中說明用以提供電容予積體電路之記憶單元的技術及機制，在實施例中，記憶單元的電晶體包含各種形成於半導體基板的第一側中或第一側上的結構。 在處理以形成電晶體之後，進行薄化以使半導體基板的第二側暴露出，第二側和第一側相面對。 隨後進行處理於半導體基板之露出的第二側中或第二側上，以形成延伸而耦合至該等電晶體結構的其中一者之電容器於半導體基板中。

動態隨機存取: TWI741996B – 提供動態隨機存取記憶單元之電容的方法、裝置及系統

為了驅散多餘的熱量，Rambus芯片配有散熱器，這種散熱器看上去就像是又長又薄的圓片。 正如DIMM有其小外形版本一樣，生產商還為筆記本電腦設計了小外形RIMM。 SDRAM：同步動態隨機存取存儲器利用了爆發模式的概念，大大提升了性能。 這種模式在讀取數據時首先鎖定一個記憶行，然後迅速掃過各記憶列，與此同時讀取列上的位元數據。

• 雖然在代表性實施例中機器可存取儲存媒體732被顯示為單一媒體，但是術語“機器可讀取儲存媒體”應該被採取包含單一媒體或儲存該一或多組指令的多重媒體(例如，集中或分散式資料庫、及/或相關的快取記憶體和伺服器)。
• 在本實施例中，依據第2圖的存取方法，將第一列地址ROW1[y：0]和第一激活命令ACT1從控制器傳送到DRAM。
• 此外，當通過命令總線提供子命令ACT-2至 DRAM時，同時通過地址總線提供地址資訊ROW_addr2至DRAM，以及地址資訊ROW_addr1包括低列地址ROW[7：0]。
• 另外，源極5是由一隔離層71向上延伸的垂直源極，且隔離層71的上表面低於矽表面12。
• 更特別者，處理器702可為複雜指令集計算微處理器、精簡指令集計算微處理器、超長指令字微處理器、施行其他指令集的處理器、或施行指令集之組合的處理器。
• 該覆蓋隔離層位於該第一電極的直立部分與該隔離層的第一部分之間，其中該覆蓋隔離層覆蓋該第二導通區的一第一部分，以及該第一電極的連接部分覆蓋該第二導通區的一第二部分。

提供動態隨機存取記憶單元之電容的方法、裝置及系統 本文中所討論的實施例係通常有關積體電路領域，尤指(但非排他)用以改善記憶單元中之電容的結構。 如請求項3所述的動態隨機存取記憶單元，另包含：一覆蓋隔離層，位於該第一電極的直立部分與該隔離層的第一部分之間，其中該覆蓋隔離層覆蓋該第二導通區的一第一部分，以及該第一電極的連接部分覆蓋該第二導通區的一第二部分。 如請求項1所述的動態隨機存取記憶單元，其中該電晶體包含：該第一導通區；一閘極，位於該矽表面上，且由一介電層向上延伸；一第二導通區，由該矽表面向上延伸和向下延伸；以及一通道區，位於該閘極下方並接觸該第一導通區和該第二導通區；其中該第一導通區的向上延伸方向、該閘極的向上延伸方向、和該第二導通區的向上延伸方向垂直於該矽表面。 2.或者，如圖12B所示，可以沉積具有可控厚度的一第六氮化層121以包覆源極92與第八氧化層71’。

動態隨機存取: 動態隨機存取記憶體

在另一施行中，該第二摻雜區域係設置在該第一側上，且其中，該第二摻雜區域在第一側處包圍該電容器。 在另一施行中，形成該電容器包含形成分支結構，該分支結構在垂直於該第二側的方向上延伸至該第二摻雜區域。 在另一施行中，形成該電容器包含形成分支結構，該分支結構延伸在平行於該第二側的方向上。

各種實施例的特徵在本文中針對提供DRAM記憶單元中的電容來予以說明。 然而，此種討論可以被延伸至額外或另外地應用於適用於本文中所述之特徵的各式各樣其他記憶單元類型之任一者的交換。 在有些實施例中，本文中所述之技術可被使用於桌上型電腦、膝上型電腦、智慧型電話、平板電腦、小筆電、筆記型電腦、個人數位助理、伺服器、其組合等等。 更普遍地說，本文中所述之技術可被使用於包含IC記憶體裝置之各式各樣電子裝置的任一者中。 方法200可另包括，在220處，形成第一摻雜區域和第二摻雜區域於該基板的第一面中或第一面上。

動態隨機存取: 隨機存取存貯造句

此種薄化，其例如可包含研磨、濕式蝕刻、化學機械拋光及/或其他此等處理製程-可導致從晶圓506a形成基板506b。 動態隨機存取 在一個繪示的實施例中，晶圓506a(其從背面504a算起具有厚度t1)例如可為幾百微米的等級-例如，在 um的範圍中-或者，在薄膜類型基板的情況中，為在30-100um的範圍中，厚度t1可被減少至厚度t2，例如，其為1-10um的等級或者，在薄膜類型基板的情況中，可為在50-250奈米的範圍中。 如同在階段500b中所示，此種薄化可使基板506b之與正面502相面對的背面504b暴露出。 如申請專利範圍第10項之方法，其中，形成該電容器包含形成第一導電區域、第二導電區域、和設置在該第一導電區域與該第二導電區域之間的電介質，其中，該第一導電區域包含延伸在該第一側與背側之間的一或多個波瓣結構。 此種薄化，其例如可包含研磨、濕式蝕刻、化學機械拋光及/或其他此等處理製程-可導致從晶圓 506a形成基板506b。

例如，摻雜區域422,424可為各自在基板之磊晶層420中的n+摻雜區域。 該電晶體可另包括端子接點406和閘極結構408-例如，在功能性上分別對應於端子接點306和閘極結構308。 在實施例中，在230處的該薄化造成該第一面與該露出的第二面之間的全部厚度，其考慮到蝕刻、沉積及/或其他處理以形成耦合至在220處所形成之摻雜區域的電容性結構。

動態隨機存取: 隨機存取特點

通常，雖然非必要的，這些量採取電或磁訊號的形式，其能夠被儲存、轉移、結合、比較、或者操縱者。 計算裝置600的處理器604包含封裝於處理器604之內的積體電路晶粒，術語「處理器」可指任何裝置或裝置之處理來自暫存器及/或記憶體之電子資料以將該電子資料轉變成可被儲存於暫存器及/或記憶體中之其他電子資料的部分。 通訊晶片606致能無線通訊以使資料的轉移 往來於計算裝置600，術語「無線」及其衍生用語可被用來描述電路、裝置、系統、方法、技術、通訊通道、等等，其可透過經調變之電磁輻射的使用，經由非固態媒體來通訊資料，該術語並不隱含相關裝置並未含有任何導線，雖然在有些實施例中他們可能不含。 如請求項21所述的動態隨機存取記憶單元，其中相鄰於該動態隨機存取記憶單元的一第二動態隨機存取記憶單元包含一第二電容，以及該第二電容和該動態隨機存取記憶單元的電容共用該第二電極。 如圖4B所示，該選擇性外延增長方法或該原子層沉積法可持續生長至一定高度，並垂直地形成具有可控的摻雜濃度的汲極42，其中汲極42又可被稱為垂直分層汲極(Vertical Tiering Drain，VTD)。 使用該各向異性蝕刻製程蝕刻該主動區上暴露的矽材料以形成第一凹槽31，以及第一凹槽31的深度可以比第二氧化層20的表面(深度約為20奈米)還要深，例如該深度可以是25奈米或30奈米。

由於電容器或多或少有漏電的情形，若不作特別處理，數據會漸漸隨時間流失。 刷新是指定期讀取電容器的狀態，然後按照原來的狀態重新為電容器充電，彌補流失了的電荷。 在計算機科學中，隨機存取（有時亦稱直接訪問）代表同一時間訪問一組序列中的一個隨意組件。

動態隨機存取: TWI755855B – 動態隨機存取記憶單元與其相關的製造方法

例如，源極92和汲極42的摻雜濃度分佈由下往上可以包含：一輕摻雜區、一正常摻雜 區、一次重摻雜區和一重摻雜區；一正常摻雜區、一輕摻雜區、一次重摻雜區和一重摻雜區；或一未摻雜區、一正常摻雜區、一次重摻雜區和一重摻雜區。 其中該重摻雜區的濃度高於該次重摻雜區，該次重摻雜區的濃度高於該正常摻雜區，該正常摻雜區的濃度高於該輕摻雜區，以及該輕摻雜區的濃度高於該未摻雜區。 動態隨機存取 圖15是說明利用金屬蝕刻步驟以在該電容區域的凹槽中四個側壁上形成四個電極柱，但該四個電極柱的底部並未互相連接的橫切面示意圖。

動態隨機存取: TW201812764A – 動態隨機存取記憶、以及其存取方法和操作方法

術語“機器可讀取儲存媒體”也應該被採取包含能夠儲存或編碼供機器執行之一組指令和致使該機器能夠進行各種實施例之方法的任何一或多者的任何媒體，術語“機器可讀取儲存媒體”將因此被採取包含但不限於固態記憶體及光學和磁性媒體。 本發明之各種實施例藉由舉例說明而被繪示在附圖的圖形中，而非藉由舉例說明來限制於附圖的圖形中，在附圖中：圖1A,1B為習知記憶體裝置中之積體電路結構的剖 面示圖。 然而，應記住所有的這些和類似術語係與適當的物理量相關聯，並且僅為應用於這些量的便利標記。

動態隨機存取: 隨機存取隨機存取存儲基本結構

圖6繪示依據一個實施例之計算裝置600，該計算裝置600收納板602，該板602可包含許多組件，其包含但不限於處理器604和至少一個通訊晶片606，該處 理器604係實體上且電連接至板602。 在有些施行中，該至少一個通訊晶片606亦係實體上且電連接至板602。 如申請專利範圍第10項之方法，其中，該第二摻雜區域係設置在該第一側上，且其中，該第二摻雜區域在該第一側處包圍該電容器。 如申請專利範圍第1項之積體電路，其中，該第二摻雜區域係設置在該第一側上，且其中，該第二摻雜區域在該第一側處包圍該電容器。

動態隨機存取: 記憶體牆

只要前一位數據的地址定位成功，EDO DRAM就開始為下一位數據尋址。 FPM DRAM：快速頁模式動態隨機存取存儲器是最早的一種DRAM。 在存儲器根據行列地址進行位元定位的全程中，FPM DRAM必須處於等待狀態，數據讀取之後才能開始處理下一位數據。 3.讀寫電路：讀寫電路是RAM的控制部分，它包括片選CS，讀寫控制R/W以及數據輸入讀出放大器,片選CS的作用是隻有當該端加低電平時此RAM才起作用, 才能進行讀與寫,讀寫控制R/W的作用是當R/W端加高電平時,對此RAM進行讀出。

動態隨機存取: 隨機存取和非隨機存取分別是什麼意思？有啥區別？

如請求項1之積體電路，其中，該記憶單元另包括另一電容器，係耦合用以基於該通道的啟動而累積其他電荷，其中，該另一電容器經由該第一側而被耦合至該基板，或者該另一電容器經由該第一側而從該第二摻雜區域延伸出。 IC裝置450的製作可包含，例如，方法200的部分或所有操作。 IC裝置450包含具有正面452和背面454的基板，其中，IC裝置450的記憶單元包含包括各自被設置在正面452處和正面452之下的摻雜區域472,474的電晶體-例如，在基板的磊晶層470中。

動態隨機存取: 動態隨機存取記憶組件英文

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